GaN挑战硅器件市场 复合年增率达80%

2008-07-03 11:23:32来源: 国际电子商情

  据市场调研公司Yole Developpement,2007年氮化镓(GaN)射频器件市场为1,700万美元。该市场65%属于研发、17%属于国防和卫星、16%属于3G基站和2%属于LTE/WiMax应用。

  由于GaN在LTE/WiMax领域的强劲渗透,Yole预测GaN RF晶体管市场到2010年将增长到1亿美元左右,而2008年约为3,000万美元。这意味着2008-2010年复合年增长率为80%。


  Yole预测,2012年GaN市场的研发比例将下降至6%,国防与卫星所占比例将上升至27%,3G基站所占比例将上升到31%,LTE和WiMax所占比例将上升到29%。广播市场将占4%。Yole没有预测2012年GaN市场将达到多大的规模。


  Yole化合物半导体项目经理Philippe Roussel在声明中表示:“这些GaN器件目前正在挑战硅在工业领域中的主导地位,预计2008年工业领域中的功率半导体市场规模约为9亿美元。”


  直到2005年,硅LDMOS占2-GHz或更高频率上的高功率RF放大应用的比例约为90%,其余市场由GaAs pHEMT技术占据。
 
 
 
 
 

关键字:硅器件市场

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/market/200807/article_21606.html
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