iSuppli预测:供应过剩将使NAND闪存及DRAM行情进一步恶化

2007-11-27 09:15:25来源: 日经BP社

美国iSuppli公布预测结果,DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。恶化的原因在于供应过剩和价格暴跌。

NAND闪存方面,预计全球市场上每512Mbi的平均单价将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所高。但是在第四季度,随着价格下跌,行情出现恶化,短期内很难恢复。iSuppli分析,此次价格下跌的主要原因不是需求的增加,而是韩国内存厂商生产能力从DRAM转移至NAND闪存引起的供应过剩。

DRAM的行情方面,受到预想之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季节需求低迷的影响,预计将进一步恶化。2007年9月以后,DRAM的市场价格降至生产成本以下,512Mbit容量DDR2产品的价格已经崩溃。在亚洲市场上,现货价格已经跌破1美元。受到此次价格下跌的影响,2007年第四季度DRAM厂商的业绩预计将趋于恶化,DRAM市场整体收益的恶化将持续至2008年第一季度。

不过,iSuppli预测,在今后几个季度内,内存市场将会逐渐恢复。在库存减少及产量(按bit换算)减少的推动下,DRAM市场将首先恢复,多数厂商将在2008年第二季度实现盈利。另一方面,NAND闪存的行情在第二季度仍将恶化,到第三季度将开始反弹。但是,这一预测的前提是内存厂商不进行会导致DRAM价格进一步下跌的增产,市场的恢复也可能会因厂商的动向而推迟。

关键字:价格  厂商  生产  技术

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/market/200711/20641.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
价格
厂商
生产
技术

小广播

独家专题更多

TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved