iSuppli预测:供应过剩将使NAND闪存及DRAM行情进一步恶化

2007-11-27 09:15:25来源: 日经BP社

美国iSuppli公布预测结果,DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。恶化的原因在于供应过剩和价格暴跌。

NAND闪存方面,预计全球市场上每512Mbi的平均单价将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所高。但是在第四季度,随着价格下跌,行情出现恶化,短期内很难恢复。iSuppli分析,此次价格下跌的主要原因不是需求的增加,而是韩国内存厂商生产能力从DRAM转移至NAND闪存引起的供应过剩。

DRAM的行情方面,受到预想之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季节需求低迷的影响,预计将进一步恶化。2007年9月以后,DRAM的市场价格降至生产成本以下,512Mbit容量DDR2产品的价格已经崩溃。在亚洲市场上,现货价格已经跌破1美元。受到此次价格下跌的影响,2007年第四季度DRAM厂商的业绩预计将趋于恶化,DRAM市场整体收益的恶化将持续至2008年第一季度。

不过,iSuppli预测,在今后几个季度内,内存市场将会逐渐恢复。在库存减少及产量(按bit换算)减少的推动下,DRAM市场将首先恢复,多数厂商将在2008年第二季度实现盈利。另一方面,NAND闪存的行情在第二季度仍将恶化,到第三季度将开始反弹。但是,这一预测的前提是内存厂商不进行会导致DRAM价格进一步下跌的增产,市场的恢复也可能会因厂商的动向而推迟。

关键字:价格  厂商  生产  技术

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