IDF抒写硅光子学美妙远景,英特尔最新技术突破引人侧目

2007-09-21 08:29:31来源: 电子工程专辑

在秋季英特尔信息技术峰会(IDF)9月18日-20日召开之前,英特尔举行了针对国际媒体的沟通会,重点介绍了有关研发、软件解决方案和英特尔投资的最新消息。

英特尔院士、光子学技术实验室总监Mario Pannicia博士在会上描绘了硅光子学远景,讲述了英特尔取得的最新突破,即一种每秒能够以40Gbps的速度对数据进行编码的硅激光调节器。

据了解,早在04年2月,英特尔就研发出1G硅激光调节器,05年7月研发出10G硅激光调节器,07年4月40G硅激光调节器研发成功。“下一步我们需要做的是,如何将之作用很好地发挥出来,以及与相关设备进行很好结合。”

此外,Pannicia还介绍了英特尔在硅光电探测器领域的最新进展,旨在实现高速度、高灵敏度的光学接收器。

据Mario Pannicia介绍,英特尔在硅光子学领域获得了最新突破:即一种基于硅和锗的光电探测器,这种探测器能够以每秒400亿字节以上的速度探测激光信号。

备注:

英特尔光芯片突破 编码速度达40Gbps

关键字:编码  速度  激光  调节

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/ledanddisplay/200709/15817.html
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