海力士3000万块芯片存缺陷损失10%

　　4月7日消息，据下游厂商的业界消息人士称，海力士半导体公司66纳米工艺产品成品率问题导致3000万块1Gb DDR2芯片存在缺陷，相当于其产量的10%。

　　据国外媒体报道称，海力士否认存在这一问题，但拒绝发表进一步的评论。

　　海力士从去年第四季度开始采用66纳米工艺生产内存芯片，但成品率低于预期。消息人士表示，由于3000万块1Gb DDR2芯片被发现存在故障，海力士的产量损失了10%。成品率问题使得海力士无法履行与客户签订的合同，尔必达内存公司和三星电子最近宣布将上调内存芯片价格与海力士产量损失有关。

　　消息人士表示，尽管有消息称内存芯片合同价格受这一传言影响有所上升，但由于渠道库存较大，现货价格却不会因此而受益。许多厂商因预期价格会上扬而在2008年初囤积了大量库存，由于价格没有象预想的那样上升，供过于求的情况已经开始显现。

　　尽管遇到了成品率问题，业界厂商对于海力士今年下半年转向54纳米工艺的计划仍然非常乐观。

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编辑：汤宏琳

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