飞思卡尔MRAM设备荣获《微处理器报告》创新奖

2007-02-27 15:45:19来源: 电子工程世界

   先进的MR2A16A磁阻随机存取存储器继续赢得行业大奖

德克萨斯州奥斯汀 – 2007年2月26日讯嵌入式半导体产品设计及生产领域的全球领导者飞思卡尔半导体,凭借其4 Mbit MRAM设备荣获In-Stat的年度《微处理器报告》(Microprocessor Report)评选的创新类别奖项。此外,这种MRAM设备还在今年早些时候获得了《Electronic Products》评选出的“年度最佳产品”奖,而且被选为进入EDN的创新奖和EE Times的ACE奖决赛的产品。

MR2A16A设备集非易失性存储(NVM)和随机访问存储(RAM)的最佳特性于一身,可以在新的智能电子设备中实现即用(instant-on)功能和功率损耗保护。MRAM设备适合用于多种商业应用,如联网、安全性、数据存储、游戏和打印机等。MR2A16A设计用于提供一种可靠、经济的单一组件替代产品来代替battery-backed SRAM设备。该设备还可用于cache buffers, configuration storage memories及需要MRAM的高速度、耐久性和非易失性的其他应用。

飞思卡尔高级副总裁兼汽车和标准产品部总经理Paul Grimme表示:“In-Stat的《微处理器报告》等行业著名刊物的长期认可充分证明了我们的MR2A16A MRAM产品的突破性创新和商业潜力。作为实现MRAM技术商业化的第一家公司,我们深信,飞思卡尔已推出的非易失性存储产品将成为10年来半导体技术领域的最重大突破成果之一。”

获奖产品由In-Stat的技术分析家、在国际上得到广泛认可的时事通讯《微处理器报告》背后的工作人员及年度春季和秋季处理器论坛选出。

《微处理器报告》的出版方In-Stat于2月20日宣布了第8届年度分析家选择奖的获奖产品。这些奖项类别代表了半导体行业内人们最感兴趣、最动态多变的产品领域。提名产品须达到以下几个条件:代表重大的技术创新、具有新闻报道价值并且必须是前一年推出的。

若欲了解有关飞思卡尔的MRAM产品及技术的更多信息,请访问http://www.freescale.com/files/pr/mram.html

关键字:存储  功率  动态  产品

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