三星预计DRAM需求增长 2.2亿建美芯片生产线

　　天极网4月15日消息 (他山石 编译) 当地时间本周五，韩国三星电子公司宣布，它计划投资2.2亿美元在美国德克萨斯州的奥斯汀建立新的半导体产品生产线。

　　三星电子公司是主要的NAND闪存芯片和DRAM储存芯片制造商，这些芯片通常用于计算机和储存卡。新的半导体生产线制造的产品将投放美国市场。

　　三星电子公司半导体部门副总裁Kim Il Ung在电话会议上表示，预期新的生产线将在2007年第三季度投产。但生产哪种芯片目前还没有确定，三星电子公司将根据今年年底的市场需求决定制造芯片的品种。

　　由于计算机制造商把更多的储存芯片用于新的系统，三星电子公司预期今年DRAM储存芯片的需求同比将增长 45%，计算机中平均使用的储存容量从去年的552 MB 已经增长到今年第一季度的705MB。NAND闪存价格下滑推动了它的销售，消费者购买更高储存容量的储存卡和数码相机将帮助NAND闪存市场强劲增长(完)

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