奇梦达向30nm工艺和4F2单元尺寸迈进

2008-02-29 07:35:36来源: 电子工程专辑

  内存芯片厂商奇梦达(Qimonda)日前宣布了一个技术路线图,将走向30纳米工艺和4F2单元尺寸。该公司的首席运营官Thomas Seifert表示,实施这个路线图,将把公司的生产率提高一倍。

  Seifert在接受采访时表示,路线图中的关键创新是Buried Wordline Technology,该技术可以把奇梦达沟道技术的功率/性能优势转化成更小的尺寸和更小的存储单元。目前,存储单元的尺寸通常是8F2。奇梦达计划在2008年下半年转向65纳米节点和6F2的单元尺寸。

  利用这项技术将使奇梦达能够在2009年下半年转向46纳米节点和4F2尺寸,届时可以把每片晶圆的芯片产量提高一倍,从而提高生产率。Seifert声称,奇梦达将是第一家拥有这种能力的内存芯片厂商。Seifert高兴地说:“这不仅会帮助我们赶上其它厂商,而且会让我们在生产率方面跃居领先地位。”

  生产率的大幅提升对于奇梦达尤其重要。据分析师,最近存储芯片价格急跌导致奇梦达严重亏损,其生产率亦落后于其它厂商。

  为了在生产线上采用新的技术,奇梦达计划在未来两年内投资大约1.46亿美元。

  该公司目前计划在新加坡兴建一家新厂。但是,在最近几个季度出现巨额亏损之后,这些计划现在都处于“搁置”状态。Seifert表示,新路线图的推出,不会影响在新加坡建厂的计划。

关键字:节点  生产率  厂商  晶圆  功率  存储  沟道

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200802/article_18081.html
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