MRAM技术即将步入卫星轨道

2008-02-28 07:40:54来源: 电子工程世界 汤宏琳 编译

  随着日本宇宙航空研究开发机构的卫星SpriteSat的发射,MRAM技术正逐步步入卫星轨道。

  在这个日本研究卫星上,Angstrom航天总公司(瑞典)的基于微机电系统(MEMS)的磁强计将使用MRAM代替静态RAM和闪存

  “MRAM在SpriteSat里Angstrom的模块代替了闪存和电池支持的SRAM,”皇家技术学院材料自旋电子的专家Johan Akerman说。“在卫星飞行的不同阶段MRAM能够重新配置重要程序以及路线定义。” 


工程师检查SpriteSat上Angstrom航空航天的基于MRAM的磁强计分系统,而这个卫星是在日本宇宙航空研究开发机构即将发射的。

  在20世纪90年代,MRAM设想作为不同类型存储的替代,从RAM到硬盘。因为它是固态的,MRAM超越了硬盘的自旋机制。此外,由于单独位可擦除和重写无数次,MRAM超越了闪存,闪存只能被擦除和大规模重写少于100万次,然后其位开始失效。MRAM也是不挥发的。

  尽管有这些优势,MRAM尚未完全履行其承诺。因为随着MRAM的开发不断的出现问题,甚至最高密度的MRAM芯片,如飞思卡尔的MR2A16A ,在消耗20美元的单位成本只能存储4 Mbits的数据,而闪存密度是5元4Gbit。在如军工、航天等应用, MRAM开始取代其他类型的存储。

  Angstrom航空航天在其卫星分系统正在专门使用MRAM。 MRAM将保存程序数据,以及其现场可编程门阵列的配置位。此外,MRAM相对简单的再编程性将允许程序代码和FPGA通过上传新的记忆图像到MRAM从头调整。

  Angstrom航空航天分系统,即将在2008年下半年与SpriteSat一块发射,这是一个复杂的磁力计,可以随着卫星的轨道监测地球磁场。SpriteSat的总任务就是研究"sprites"——可见光效应——在最外层大气层。

  另外,e2v'Technologies PLC宣布正在测试飞思卡尔半导体的MR2A16A MRAM为了使其符合军用规格的温度范围-55摄氏度到125摄氏度。飞思卡尔目前MRAM 的温度在-40摄氏度到105摄氏度。

关键字:闪存  磁强计  系统  发射  静态  自旋  材料

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200802/article_18071.html
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