ISSCC 2007带领制程技术跨越65nm障碍

2008-02-13 16:33:36来源: DIGITIMES

  每年一次的半导体产业盛会ISSCC(International Solid-State Circuits Conference),2007年也在众多业者发表最新研发成果的声势下,2月15日正式划下句点,而支撑起这个句点的背后,更是无数令人赞叹的焦点和研发成果。就如同过去一样,当ISSCC结束后,审视会议的各项研究发表,可以发现,在未来半导体技术的进步速度,已经快要超乎摩尔当初的预期,而发展的方向从制程的细微化、逻辑闸数量,开始朝向低功耗多元化材料、多运算功能发展,也就是说,不仅深度呈现跳跃式的的进步,在广度的部份,更是涵盖了更为宽阔的应用和成长。

  2007年的ISSCC从2月11日展开,整个活动为期5天,前后2天分别是研讨会形式的演讲,而中间的1214日三天则是各业者研发成果的发表。整个活动会场,从11日开始便围绕在低耗电高速高效能的气氛之中,其中,包括来自英特尔、IBM、东芝、索尼计算机娱乐等大厂的演讲,更是成为所有参观者注目的焦点。

  对于65nm制程的跨越 DFM扮演相当关键的因素

  在ISSCC 2007的演讲活动中,聚集了当今全球半导体产业中各领域的菁英,包括TSMC董事长张忠谋、Analog Devices技术副总裁兼技术专家Lewis W. Counts、ST董事Joel Hartmann…等等,针对其所擅长的技术部份,发表相关精辟的演讲。

  TSMC董事长张忠谋认为,目前TSMC必须开始对自身进行改变,因为对于65nm制程的CMOS芯片来说,其设计成本是90nm制程时的2倍以上,此外还包括了工厂的建设成本、研究开发成本,也不断的伴随着制程的微细化而逐渐上升,所以如过还是停留在过去由客户设计IC、代工厂进行生产的简单模式,相信在未来艰鉅的市场环境中将难以生存,所以在这之中,能否完成DFM便扮演了相当关键的因素,达到从设计规划开始、包括实体的设计、制造等各方面,工厂与客户之间能够进行密切的合作,完成新产品的开发和生产。

  对于这一点,ST董事Joel Hartmann也相当赞同,并且在其演说之中,验证出其重要性,Hartmann认为,目前曝光技术使用的是193nm紫外线,但是为了面对未来更细微化的制程需求,有些工厂开始导入“浸润式曝光”的技术,就表面上看来似乎是暂时解决了部分问题,但是因曝光引起的错误,仍然还是增加,这一方面就不得不与客户共同努力,此外还包括因为制程的的微细化,导致了布线的电阻增大,严重的延迟传送速度。这些种种的课题,都是必须透过采用DFM的概念来解决问题。

关键字:多元  运算  逻辑  细微  耗电  高速  高效

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200802/article_17816.html
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