英特尔美光揭示NAND接口新突破

2008-02-02 10:26:32来源: 电子工程世界 汤宏琳 编译

  英特尔和美光已经推出了一种高速、高效的NAND闪存接口技术,据称比现有器件可以提供高达5倍以上数据传输速率。

  美光已经推出了基于该技术第一个NAND器件,这个技术由英特尔和美光共同开发,充分利用了开放NAND闪存接口(ONFi)工作组定义最新接口规范。

  开放NAND闪存接口(ONFi)工作组成立于2006年。最新的规范被称为ONFi 2.0,它定义了一个高速NAND同步接口,接口性能可以高达 133兆字节每秒(Mb/s)。传统NAND异步接口的最大速度为50Mb/s,因此阻碍了固态硬盘等的应用性能。

  基于ONFi 2.0规格的器件据称可以减少传输数据以及从缓冲器读取数据所需时间,这种性能是通过DDR(双数据率)信令和源同步时钟两种技术实现的。

  美光NAND闪存市场开发经理Kevin Kilbuck称,这项技术解决了NAND闪存接口中恼人的“性能瓶颈”。美光和英特尔2005年成立了一家名为“IM Flash Technologies LLC”的闪存制造合资企业。

  英特尔和美光使得接口技术更进一步。使用四级架构,NAND接口速度可以达到200MB/s的读速度,100MB/s的写速度。相比较之下,传统的单层单元闪存NAND的读速度被限制在40MB/s,写速度不到20MB/s。

  这使得计算、视频、摄影和其他消费应用可以在短时间传输数据。它同时也为计算机、数码相机、MP3和手机之间传送数字内容提供了一种更快的方式。

  “计算市场使用以NAND为基础的解决方案来加速使用缓存和固态驱动器的系统性能。”英特尔NAND产品小组的市场经理Pete Hazen说。

  “英特尔和美光的高速NAND可以提供传统NAND高达5倍的性能,可以支持那些高性能系统接口的嵌入式解决方案和移动解决方案 ,包括PCIe和即将推出的USB 3.0标准,”他说。

  镁光声称自己是第一家基于该技术的第一个产品。这个公司正在提供一个8GB、SLC(单层单元闪存)器件的样品。

  在50nm工艺节点进行设计,美光的8-Gbit SLC高速NAND器件正在向OEM和控制器制造商提供样片,预计在2008年下半量产年。公司也希望在2009年发布ONFI 2.0衍生NAND,包括MLC多层单元闪存版本。

  未来几代的规格将提供高达400 MB/s速度。下一代的ONFi规格预计在2009年完成,预计ONFi 2.0接口速度翻倍。ONFi创始公司包括Hynix、英特尔、Phison、美光、索尼和ST。

关键字:同步  异步  速度  硬盘  缓冲  传输  时钟

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200802/article_17771.html
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