英特尔美光揭示NAND接口新突破

2008-02-02 10:26:32来源: 电子工程世界 汤宏琳 编译

  英特尔和美光已经推出了一种高速、高效的NAND闪存接口技术,据称比现有器件可以提供高达5倍以上数据传输速率。

  美光已经推出了基于该技术第一个NAND器件,这个技术由英特尔和美光共同开发,充分利用了开放NAND闪存接口(ONFi)工作组定义最新接口规范。

  开放NAND闪存接口(ONFi)工作组成立于2006年。最新的规范被称为ONFi 2.0,它定义了一个高速NAND同步接口,接口性能可以高达 133兆字节每秒(Mb/s)。传统NAND异步接口的最大速度为50Mb/s,因此阻碍了固态硬盘等的应用性能。

  基于ONFi 2.0规格的器件据称可以减少传输数据以及从缓冲器读取数据所需时间,这种性能是通过DDR(双数据率)信令和源同步时钟两种技术实现的。

  美光NAND闪存市场开发经理Kevin Kilbuck称,这项技术解决了NAND闪存接口中恼人的“性能瓶颈”。美光和英特尔2005年成立了一家名为“IM Flash Technologies LLC”的闪存制造合资企业。

  英特尔和美光使得接口技术更进一步。使用四级架构,NAND接口速度可以达到200MB/s的读速度,100MB/s的写速度。相比较之下,传统的单层单元闪存NAND的读速度被限制在40MB/s,写速度不到20MB/s。

  这使得计算、视频、摄影和其他消费应用可以在短时间传输数据。它同时也为计算机、数码相机、MP3和手机之间传送数字内容提供了一种更快的方式。

  “计算市场使用以NAND为基础的解决方案来加速使用缓存和固态驱动器的系统性能。”英特尔NAND产品小组的市场经理Pete Hazen说。

  “英特尔和美光的高速NAND可以提供传统NAND高达5倍的性能,可以支持那些高性能系统接口的嵌入式解决方案和移动解决方案 ,包括PCIe和即将推出的USB 3.0标准,”他说。

  镁光声称自己是第一家基于该技术的第一个产品。这个公司正在提供一个8GB、SLC(单层单元闪存)器件的样品。

  在50nm工艺节点进行设计,美光的8-Gbit SLC高速NAND器件正在向OEM和控制器制造商提供样片,预计在2008年下半量产年。公司也希望在2009年发布ONFI 2.0衍生NAND,包括MLC多层单元闪存版本。

  未来几代的规格将提供高达400 MB/s速度。下一代的ONFi规格预计在2009年完成,预计ONFi 2.0接口速度翻倍。ONFi创始公司包括Hynix、英特尔、Phison、美光、索尼和ST。

关键字:同步  异步  速度  硬盘  缓冲  传输  时钟

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200802/article_17771.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
同步
异步
速度
硬盘
缓冲
传输
时钟

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved