旺宏与奇梦达正式签约将于近期完成

2008-01-03 11:03:54来源: 电子工程世界

  旺宏电子股份有限公司近日召开董事会,会中通过授权旺宏电子经营团队与德国奇梦达(Qimonda)公司签订技术授权与共同开发合约,以发展闪存(Flash)先进制程技术,正式签约将于近期内完成。

  旺宏与奇梦达这项策略联盟,主要是结合两家公司的技术特长。旺宏多年来在非挥发性内存(non-volatile memory)上已有所耕耘,且近年业绩良好,在制程及组件等研发上也有成绩,其中包括旺宏独立研发的BE-SONOS技术等等。奇梦达则具有雄厚的研发实力,且在300mm量产及移转技术至联盟伙伴具有成效,尤其在非挥发性内存方面的发展也多有着墨。通过这次合作,旺宏与奇梦达将共同携手研发先驱闪存技术。

  旺宏与奇梦达在非挥发性内存领域各有所长,长期以来已多有合作。这次的策略联盟将促使双方在技术及产品研发上加速成长,以提供契合市场需求且具竞争力的内存解决方案,有助两家公司的获利及长期发展。

  背景资料:

  2007年5月28日,旺宏宣布将与奇梦达合作进军新世代非挥发性内存(NAND Flash)领域,双方正协调讨论合作细节。

  旺宏与奇梦达若完成签约,旺宏将成为继力晶(与瑞萨合作)之后,第二家找到国际大厂合作进军NAND产业的本土内存业者。南科也有意切入NAND芯片制造,外界揣测,旺宏、力晶和奇梦达可能合作,力抗三星、海力士、东芝等大厂。但未获三方证实。

  业界认为,既有的NAND芯片技术在45纳米世代将遭遇物理极限瓶颈,而目前旺宏独有的“ESONOS”是业界认为最可行的新世代NAND芯片技术。由于旺宏垄断此技术及专利,往后除奇梦达外,任何业者想用此技术生产NAND芯片,都透过旺宏授权,并给予实际销售总额约3%的权利金。

  据了解,奇梦达与旺宏的合作机制,由旺宏主导技术,奇梦达提供其它周边技术与产能服务支持。

关键字:旺宏  奇梦  海力士  BE-SONOS  NAND  内存  esonos  力晶  Fla

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200801/article_17498.html
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