道康宁与东京应用化学合作开发的新型双层光阻获使用于记忆体晶片的制造

2007-12-11 14:28:44来源: 电子工程世界

美国道康宁公司与东京应用化学日前宣布,两家公司合作开发的新型双层光阻已获得一家领先业界的DRAM晶片制造商采用,将首度用来量产记忆体晶片。这种新型双层光阻将道康宁硅聚合物用于成像层 (imaging layer),以提供较目前市场上其它产品更佳的蚀刻选择性。

光阻是一种经过光线照射后会变为可溶解或不可溶解的光敏材料,因此能透过后续的蚀刻制程将所选择的部份移除。将道康宁创新的硅聚合物加入东京应用化学的感光材料后,半导体制造商就能使用较薄的光阻层,以提高图案解析度并可让更小的电路图案转印到目标晶圆而不必担心图案失真问题。

藉由免除多层光阻制程所需的硬光罩层和相关制程步骤,此一新光阻可提供一套更符合成本效益的微影制程解决方案。新光阻能同时适用于干式 (dry) 和浸润式微影制程,浸润式微影是一种先进成像技术,正逐渐获得45纳米及以下先进制程市场的广泛接受。东京应用化学已成功利用新光阻在浸润式微影环境制造出35纳米的导线/间距图案。

关键字:成像  制程  浸润  感光

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