创新信号传输技术现身日本,Rambus展示通向千兆内存的“康庄大道”

2007-11-29 08:53:49来源: 电子工程专辑

在日本召开的开发者会议上,Rambus公司将展示可以使到内存芯片的传输速度达到每秒千兆字节的技术。该公司相信,它的信号传输技术将可以替代3D芯片堆叠,而且成本较低。

长期以来,微处理器与外部DRAM之间的延迟一直是制约系统性能的瓶颈。在Rambus负责工程的资深副总裁Kevin Donnelly表示:“由于多核处理器的每个内核运行多个线程,目前内存带宽需求在急剧增长。”为了解决上述问题,Rambus将展示多内存通道,每个通道的速度是16Gbits/s,速度大约是目前正在开发的单个通道的四倍。预计在东京的开发者会议上,Rambus将展示一款65纳米控制器,连接到两个65纳米RAM器件,每个内存芯片的合计吞吐能力高达32Gbytes/s。

Rambus将通过把三种信号技术应用在相对传统的分立器件上面,来达到上述吞吐能力。上述控制器采用倒晶封装,而RAM采用引线键合封装。

“我们的目的是展示几年后就可以实际制造的东西,”Rambus的技术主管Steve Woo表示,“2010或者2011年出现(对每秒千兆字节内存芯片的)需求,并非不切实际。”

“人们想利用通孔技术和芯片堆叠来解决这些问题,但这些方法存在热问题和其它问题,”Donnelly表示,“如果能够使用分立元件,而不是通过相对奇特的技术就能达到这么高的信号传输速度,肯定在成本方面具有优势。”

今年三月,IBM宣布将生产一款功率放大器,最多采用100个通孔电极连接到一个电源接地层。IBM声称,这是迈向3D堆叠技术的第一步,还将把它用于BlueGene/L超级电脑,连接Power处理器和高速缓存SRAM,从而大大提高CPU与存储器之间的数据传输速度。

有12家以上的公司和研究组在研究穿透硅通孔(through-silicon via,TSV)和相关技术,其中包括尔必达、IMEC、三星和Sematech,以及初创公司Cubic Wafer、Tezzaron、Ziptronix和ZyCube。但分析师表示,该技术仍然不太成熟,而且面临诸多问题,包括如何为堆叠降温。

IBM的系统与技术首席科学家Bernie Meyerson在接受采访时为该技术进行了辩护,称它在可制造性与开创系统设计新方式方面具有潜力。

Rambus在东京展示其技术时,不会对任何采用Rambus上述技术的产品计划发表评论。

Donnelly表示:“我们目前没有寻找合作伙伴。我的工作是开发新技术,我们目前处于为这种技术评估新硅片的早期阶段。”

关键字:多核  通道  纳米  速度

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