Ramtron 4兆位非易失性F-RAM存储器获EDN China创新奖

2007-11-26 14:54:00来源: 电子工程世界

FM22L16荣获数据IC与可编程器件“优秀产品”称号

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器,获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。

Ramtron亚太区域总监徐梦岚称:“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同,我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破,将引领Ramtron与F-RAM进入新的创新应用中。中国设计工程师对FM22L16所作的投票,足以证明该产品的技术成果已获得公认。”

入围产品由《电子设计技术》的专家评审小组选出,该小组由来自中国各大OEM厂商、学术机构、高校及《电子设计技术》编辑部的业界专家和专业人士组成。而《电子设计技术》的读者参与投票选出得奖的产品。

关于FM22L16

FM22L16是最高密度的F-RAM产品,其容量是现有最大F-RAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性RAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。这款4Mb F-RAM与异步静态RAM (SRAM) 在管脚上兼容,并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。

FM22L16是256K x 16的非易失性存储器,采用工业标准并行接口实现存取,存取时间为55ns,周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay) 写入的总线速度进行读写操作,耐久性至少为1e14 (100万亿) 次写入和10年的数据保存能力。

4Mb F-RAM是标准异步SRAM的嵌入式替代器件,但其性能却优越很多,因为它在进行数据备份时不需电池,从而显著提高部件与系统的可靠性。与需要电池支持的SRAM不同,FM22L16是真正的表面安装解决方案,无需电池连接的返修步骤,并且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

FM22L16具有与现今高性能微处理器相连的工业标准并行接口,兼具高速页面模式,每秒80兆字节的峰值带宽,提供市场上最快的非易失性存储器解决方案之一。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流,读/写操作时为18mA,在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。

查询 FM22L16 及其它高密度 F-RAM 器件的更多详情,请访问网页:http://www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp

徐梦岚续称:“对于得到《电子设计技术》颁发这个殊荣,我们深感自豪。今次获奖的FM22L16的成功,将Ramtron与德州仪器公司的合作推向一个新的高潮。F-RAM是理想的非易失性存储器方案,拥有改变存储器现状的巨大潜力,尤其是采用新的CMOS工艺,提供了许多全新的独立和集成式产品开发机会。《电子设计技术》对FM22L16给予的信任,令我们十分鼓舞。”

关键字:逻辑  数据  厂商  功耗

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