台研究机构三年内将推相变内存

2007-10-11 09:35:50来源: eNet

据国外媒体报道,一家中国台湾研究机构称,它将在三年内推出相变内存(PRAM),另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术(磁性随机储存)也将在2008年底进入实用阶段。

与六家中国台湾芯片制造商合作的工业技术研究院(ITRI)在两年前开始开发相变内存技术。到目前为止,该合作集团已经得到了相关新技术的50项专利,并生产了芯片原型,同时还完成了晶圆切割。 ITRI与芯片制造商的合作关系将在明年6月结束,但有可能再次结成新的合作。

PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据,与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍,其寿命周期也将至少提高十倍。

ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型,并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。

其他芯片制造商也在积极开发相变内存,其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。

台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术(MRAM),双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。

关键字:芯片  制造  PRAM

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