NSCore授权PermSRAM技术,助Rohm公司开发逻辑电路

2007-08-29 09:00:29来源: 电子工程专辑

致力于开发非易失性存储器、半导体权威Chenming Hu任顾问的NSCore公司日前宣布,该公司已经向半导体制造商Rohm公司授权其PermSRAM技术,以用于Rohm公司的所有逻辑电路中。

该公司称,PermSRAM是采用标准CMOS实现的SRAM非易失性版本,并且没有额外的光罩。该公司在其网站上宣称,这种存储器是最小的多次可编程非易失性存储器,并且还宣称该存储器的尺寸大约与SRAM相同,具有类似SRAM的接口。

在其网站上,该公司未提供有关工作原理的信息,未量化读取时间、写入时间或者数据可保存时间,未提供可读取/写入次数。该公司推荐这种存储器与芯片ID、电路调整、数据存储和可重写系统数据搭配使用。

“由于大多数Rohm公司的客户现在都要求我们提供的产品附带嵌入式OTP或FTP存储器,因此我们决定用一年的时间全面研究NV选择方案,”Rohm LSI开发系统总部一位未透露姓名的总监在NSCore发布的声明中表示,“我们需要一个只占用极小空间的高速NV存储器,这种存储器不仅可以迅速而容易地整合到我们的0.18微米工艺,而且还能够整合到未来的工艺中。NSCore公司的PermSRAM技术就是显而易见的选择”。

成立于2004年的NSCore公司致力于为针对需要多次可写NV存储器的数字版权管理、LCD伽马调节、电源管理等应用开发的SoC半导体开发和授权非易失性存储器技术。

该公司由总裁兼CEO Tadahiko Horiuchi领导,Tadahiko Horiuchi曾经在NEC Electronics公司担任CMOS集成项目领导多年,2003~2004年间在韩国DongbuAnam Semiconductor公司任执行副总裁。

Chenming Calvin Hu是加利福尼亚大学伯克利分校电子工程与计算机科学的微电子TSMC特聘讲座教授。他在2001~2004年间担任全球最大的铸造芯片制造商TSMC的首席技术官,其在半导体器件物理学方面广博的研究背景已经涉及纳米级多闸极器件(如FinFET和反熔丝存储器)等论题。

关键字:量化  写入  调整  数据

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