IBM和TDK联手研发磁阻内存 系统启动只需数秒

2007-08-21 08:46:21来源: eNet
从国外媒体处获悉:美国IBM公司和日本TDK公司日前宣布,将发起一项联合研发计划,推动磁阻内存(MRAM)的量产和市场推广。

传统内存使用电荷存储数据,磁阻内存使用电磁性能存储数据,它没有读写次数限制,功耗更低,速度比目前的闪存还要快,被认为是内存技术的未来。不过,目前磁阻内存的生产成本还比较高。

IBM公司和TDK公司宣布,联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路,可以当作单独的内存芯片,或是集成到其他芯片上。

专家表示,将来如果磁阻内存获得推广,人们在几秒钟之内启动系统将不是梦想。因为磁阻内存的数据断电也可自行保存,无须再从硬盘上拷入。

联合研发计划为期四年,将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行,其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。

值得一提的是,今年三月份,中国科学院物理所宣布,已经研发出了一种全新的磁阻内存,比其他厂商的成果相比,功耗更低、芯片面积更小。

关键字:闪存  成本  电路  芯片

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