闪存硬盘:告别低速、噪音和笨重

2007-08-14 07:32:27来源: 中国计算机报
即将流行的闪存硬盘能够做到超高的数据读取速度、轻薄的体积和安静的工作状态。

你是否对电脑漫长的开机等待时间感到厌烦?你是否经常看到硬盘灯正在狂闪而电脑的反应却越来越迟缓?一项革命性的技术——闪存硬盘有望改变这些问题,它利用闪存代替传统的硬盘,数据读取速度达到传统硬盘的10~30倍,而且体积可以做到接近U盘。更重要的是,闪存硬盘没有机械结构,因此没有传统硬盘读写磁盘时发出的“咯咯”声。

闪存硬盘最先攻占的是数字随身听,中端数字随身听几乎都已经放弃使用微型硬盘而改用闪存。闪存硬盘下一步攻占的将是笔记本电脑。

速度惊人

就目前而言,闪存硬盘可以分为两类:基于Flash芯片和基于DRAM。前者可被做成笔记本硬盘、微硬盘和存储卡等,最大的优点就是数据保护不受电源控制,但是使用年限不高,适合于个人用户使用;后者仿效传统硬盘的设计,可被绝大部分操作系统的文件系统工具进行设置和管理,并提供工业标准的PCI和FC接口用于连接主机或者服务器。它是一种高性能存储器,使用寿命较长,美中不足的是需要独立电源来保护数据安全。

来自Garnter的一项研究表明,电脑运行速度的瓶颈目前主要存在于硬盘方面。过去的几年中,虽然硬盘的转速一再提高——从3年前的4500转提高到目前的10000转,但由于机械运动速度存在极限,目前传统硬盘很难再通过提高转速的方法来提高读取速度。

闪存硬盘基于闪存存储介质,具有比传统硬盘更快的访问速度和响应时间——SanDisk UATA闪存硬盘能够达到每秒67MB的持续读取速率。因此,配备2.5英寸闪存硬盘的笔记本电脑,可在30秒内启动Windows Vista企业版,并以平均0.11毫秒的速度读取文件;而使用传统硬盘的笔记本电脑,平均需要48秒的时间开机,访问文件速度平均为17毫秒。当按下笔记本电脑的电源开关时,搭载闪存硬盘的笔记本从开机到出现桌面一共只用了18秒,而搭载传统硬盘的笔记本总共用时31秒。

功能卓越

得益于无机械部件及闪存芯片较小的发热量、散热快等特点,闪存硬盘没有机械马达和风扇,工作噪音值为零分贝,这让我们能更安静地工作。

同时,闪存硬盘在降低功耗方面也做得非常出色。传统硬盘靠马达、磁头等机械型组件运动,功耗大约为1.9瓦;而主流2.5英寸闪存硬盘工作能耗为1.0瓦,1.8英寸则为0.5瓦(2.5英寸闪存硬盘空闲时仅为0.4瓦,1.8英寸闪存硬盘空闲时为0.1瓦)。这大幅延长笔记本电池的使用寿命。

目前常规的1.8英寸硬盘重量仅为25克左右,在笔记本电脑、卫星定位仪等随身移动产品上,更小的重量有利于用户便携和搭载多块闪存。

在耐用性和可靠性方面,闪存硬盘平均无故障运行时间达200万小时,约为传统笔记本硬盘的6倍。而闪存硬盘非机械型零件可以有效减少撞击带来的故障几率。

今年7月,IBM开始在其刀片服务器当中提供基于闪存技术的SanDisk公司的闪存硬盘。SanDisk公司的2.5英寸闪存硬盘SATA 5000将会在IBM推出的全球首台闪存硬盘刀片服务器上用于数据存储。根据IBM的说法,使用闪存硬盘将能够降低服务器的电源消耗,每个刀片服务器最高可以降低18瓦的电源消耗,相当于每个机架1512瓦。SanDisk目前为IBM提供容量为4GB、8GB、16GB、32GB以及64GB的闪存硬盘,并且计划在2008年提供容量为128GB的闪存硬盘,2010年提供容量为256GB的闪存硬盘。

高端笔记本开始使用

作为闪存硬盘的倡导者之一,三星早在2006年6月就宣布推出闪存硬盘版本的UMPC Q1。而后来者索尼也在最新的UMPC VAIO UX18系列笔记本上搭载了闪存硬盘,16GB的容量配合超快的存储速度让不少玩家体验到世界最快的硬盘。

索尼公司称,使用新型设计的闪存硬盘,可以达到比传统硬盘更快的读写速度,其中读取速度达到每秒53MB,比普通硬盘快300%;写入速度达到每秒28MB,比普通硬盘快150%以上。据称使用这种硬盘运行Windows XP,操作系统的速度也能够较普通硬盘提升25%~50%左右。

而高端笔记本品牌Alienware近日也正式提供了闪存硬盘作为选配硬件。Alienware公司产品营销部副主管Bryan Zaya这样说道:“闪存硬盘可极大地提升移动存储应用的性能,用户可通过它体验到极快的下载以及稳定的状态,用户想要的极致性能都能在配置有闪存硬盘的笔记本上找到。 ”

价格是瓶颈

目前已有闪存硬盘产品在美国、日本和中国上市。如SanDisk的两款16GB和32GB容量的闪存硬盘,在中国价格约为5000元和6800元。可以说过高的价格是闪存硬盘在市场普及中的最大障碍。但正如传统硬盘诞生之初也价格昂贵一样,随着时间的推移,闪存硬盘的价格将会逐渐降低,大规模应用到电脑市场只是时间问题。

链接:激光硬盘技术也欲登场

今年年初,美国Radbond大学的研究人员宣布已经在激光硬盘技术上取得初步成果。该技术通过激光来改变磁盘的磁性属性,从而以极快的速度进行1/0数据写入。研究人员们表示,新激光技术将帮助硬盘提速100倍以上。

“这是存储领域的重要新成就。”希捷研究中心的Julius Hohlfeld评论道。

尽管激光磁存储技术已经在实验室中证明可行,首个正式样片依然需要5年时间才能开发完成。

关键字:速度  芯片  电源  介质

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200708/15152.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
速度
芯片
电源
介质

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved