奇梦达512Mbit低功耗DRAM样品面世 剑指移动应用市场

2007-07-18 08:37:20来源: 国际电子商情

存储产品供应商奇梦达公司日前宣布开始提供全新的75纳米工艺512Mbit低功耗DRAM样品。Mobile RAM产品是一种超低功耗的DRAM,与同等密度的标准DRAM相比,功耗低80%,主要用于智能手机和多功能手机、便携式GPS设备、数码相机和MP3播放器等移动产品。

奇梦达的低功耗DRAM产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间,另一优势是它的超小封装尺寸,能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗DRAM市场的理想选择。

据市场分析家iSuppli“2007年第二季度DRAM市场跟踪”预测,对低功耗DRAM的需求量将从2007年2.38亿512Mbit约当量增加至2010年的12亿512Mbit约当量(年均复合增长率为71%)。

奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台,该平台是公司所有75纳米低功耗DRAM产品系列的基础。新型Mobile RAM采用非常有弹性的设计概念,将DDR与SDR接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计,在后端封装测试前采用bond option技术决定产品最终的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 )。新型Mobile DRAM也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本,能配合任何组件级封装、多重芯片封装(MCP)、或系统级封装(SIP)。

奇梦达的512Mbit低功耗RAM针对MCP与SIP解决方案提供最高的品质,同时实现最低功耗,从而延长手持设备的电池使用时间。

“我们非常高兴推出这款多功能75纳米低功耗DRAM的新产品,它是我们准备在今后6个月内推出的一个完整产品系列的主导产品。除了产品本身具备的核心优势外,我们还将以创新封装和测试服务进一步完善该产品系列,以满足客户打造速度更快的移动产品的需求,”奇梦达消费和移动事业部副总裁Ayad Abul-Ella说道。

关键字:密度  工艺  平台  增长

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