采用硅绝缘体晶圆,Renesas有望采用32nm工艺实现SRAM

2007-06-25 09:10:22来源: 电子工程专辑

Renesas Technology公司日前宣布,该公司拥有利用硅绝缘体(SOI)晶圆、采用32nm及以上工艺实现SRAM的技术。Renesas指出,该技术可以控制各个晶体管的底层电压,提高了工作极限。

Renesas表示,该技术适合带逻辑电路的片上内存,如用于微处理器的缓存内存。

Renesas已经采用65nm CMOS SOI工艺生产出2Mb SRAM原型,并证实,与不使用该技术相比,工作下限电压大约提高了100毫伏。Renesas指出,读取裕量(read margin)提高了16%左右,写入裕量(write margin)则提高了20%左右。晶体管的电气特性变化降低了19%左右。

Renesas Technology预期将在日本京都举行的VLSI技术2007座谈会上演示一份有关32nm SRAM技术的报告。

关键字:电压  内存  晶体管

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