特许半导体携手Tezzaron制造3D内存产品 ,将会取代144Mbit SRAM

2007-06-20 09:12:00来源: 电子工程专辑

特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing Pte. Ltd.)开始制造Tezzaron Semiconductor公司的内存芯片。此外,两个公司一起准备制造Tezzaron公司的3D产品。

特许半导体正采用0.13微米工艺制造Tezzaron的3T-iRAM系列2D 72Mbit内存产品,这种产品采用专利技术模拟SRAM,比SRAM更快、耗电更少,适于电信和数据通信设备。

Tezzaron也在开发称为FaStack的3D产品,支持将称为Super-Contacts的thru-silicon互联功能嵌入每块晶片电路中,然后晶片以0.5微米的精度对齐、绑定形成单独的产品。

采用这种方法制造的产品将为72Mbit内存,两片叠合起来形成144Mbit的SRAM替代产品。

关键字:微米  工艺  晶片  电路

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