NOR闪存“替身”亮相,英特尔128-Mbit相变内存量产在即

2007-04-25 08:56:38来源: 电子工程专辑

英特尔近日宣布,准备推出128-Mbit相变内存(phase-change memory)样片,今年下半年将采用90纳米技术进行批量生产。

这种称为Alverstone的产品是Intel的第一种相变内存产品,是与NOR兼容的替代产品。目前英特尔是仅次于Spansion公司的第二大NOR闪存制造公司。英特尔公司首席技术官Justin Rattner表示,该产品比目前的NOR闪存的写入性能高5倍,至少可写入一百万次。

作为替代DRAM和闪存的下一代内存产品,相变内存也有许多竞争对手,如FeRAM和MRAM。这种非易失性内存技术基于硫族化物(chalcogenide)的电导(electrically induced)相变,非常难达到可靠的量产阶段。

Rattner指出,英特尔将128-Mbit相变内存的目标定位为替代NOR闪存。Intel将继续优化相变内存的量产工艺。

去年夏季英特尔开始与STMicroelectronics NV一期开发相变内存,而STMicro将采用45纳米工艺技术。

关键字:纳米  制造  兼容  写入

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