英特尔:DRAM内存可能被淘汰 PRAM才是正道

2007-04-19 09:24:37来源: 赛迪网

4月19日消息,据国外媒体报道,英特尔日前表示,其所开发的相变随机存取存储器(PRAM)有潜力取代当前的DRAM(动态随机存取存储器)。

在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会(IDF)”上,英特尔首席技术官Justin Rattner展示了新型PRAM内存,并表示,PRAM有潜力取代当前的DRAM。

Rattner还称,英特尔开发PRAM已经有十年的历史了。据悉,PRAM是一种非易失性的内存产品,它集DRAM内存的高速存取,以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体,因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品。

据英特尔称,PRAM的读写速度相当于闪存的1000多倍,而能耗只有当前闪存的1/2。目前,英特尔与意法半导体携手开发这种PRAM产品。

关键字:随机  动态  高速  闪存

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