英特尔首次展示PRAM 或可取代DRAM?

2007-04-18 09:00:25来源: 计世网

英特尔公司的技术总监拉特纳计划在“英特尔开发商论坛”(IDF)上首次公开演示其PRAM技术。英特尔计划从本周二开始在北京举办IDF。

PRAM是由英特尔和数家其它公司联合开发的一种非挥发性内存,被认为可能取代闪存,甚至是DRAM。与DRAM不同的是,在产品掉电前,闪存等非挥发性内存不会丢失存储的信息。但是,与DRAM相比,闪存读写数据的速度要慢得多,而且容量较小,制造成本也更高。在IDF前夕接受采访时,拉特纳说,我们认为相位变化是颇有前途的,我们将于今年下半年生产PRAM。

与闪存相比,PRAM在数据读写速度和耐用性方面都有优势。

英特尔和其它公司都寄希望于PRAM能够取代NOR和NAND闪存,提高PRAM芯片的需求,降低其生产成本。闪存被广泛应用在手机和其它便携式产品中,但也能被应用在PC中。闪存还是英特尔Robson闪存缓冲技术的核心。PRAM的应用范围与闪存一样,英特尔正在调查PRAM的新用途,看它是否能够取代DRAM,它的性能似乎不弱于DRAM。即使证明PRAM能够取代DRAM,它也不会完全取代DRAM。

关键字:掉电  内存  容量  缓冲

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200704/13216.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
掉电
内存
容量
缓冲

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved