英特尔新代相变内存呼之欲出 速度提高1000倍

2007-03-09 09:04:25来源: eNet
3月8日外电报道,英特尔按计划将自今年第二季度开始向设备制造商提供其下一代相变内存(PCM)样品。

该技术结合了DRAM内存的高速存取和闪存断电之后仍可以保存信息的优点,因此有望在未来同时取代DRAM和闪存这两种技术。

对于耗电量被视为一种挑战的移动设备来说,使用所谓的非易失性存储需要较高的数据传输速度来执行代码。

英特尔闪存部门首席技术官埃德·多尔Ed Doller说:“最理想的解决之道是如何生产一种非易失性DRAM,而相变内存技术就十分接近于该目标。”

据悉,英特尔和意法半导体(STMicroelectronics)共同开发了这种内存。

通常被成为PCM或相变RAM的这种技术,是通过加热的方法改变硫属化物玻璃(chalcogenide glass)的晶体状态,从而实现信息的存储。

多尔声称,即将推出的相变内存的读写速度至少将高出Flash闪存1000多倍,而能耗只有当前闪存的一半。此外,这种芯片还可以在现有的数据上覆盖写入新数据,而传统的闪存则必须首先删除原有的数据才能写入新数据。

虽然目前该技术的成本还要远远高于传统的DRAM和闪存,不过多尔先生预计,随着时间的推移,PCM的价格将会降低下来。

据悉,英特尔首先将把该技术应用于手机平台,如今绝大多数市面上流行的手机都在使用NOR闪存来存储操作系统和用户数据。

韩国三星电子去年九月制造出一个512Mb变相内存原型,该产品按计划将在2008年投产。

去年十二月,IBM就自己变相内存计划的发布了一份研究报告,声称这种技术将为Flash闪存敲响丧钟。

去年九月,英特尔展示了其第一个基于90纳米技术的128Mb相变产品原型。

关键字:设备  制造  闪存  断电

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