发力25纳米器件,美光欲重夺NAND闪存技术霸主地位

2007-03-05 08:53:06来源: 电子工程专辑

在内存价格低迷和库存上升的不利情况下,美光日前声称凭借开发25纳米NAND,已经夺回在NAND闪存领域的技术领先地位。美光的总裁兼首席执行官和董事长Steve Appleton表示,“25纳米NAND仍处于开发之中。”

美光没有详细介绍该器件结构的技术情况,也没有透露它的制造工艺,只是展示了该器件的一张照片。Appleton指出:“我展示这张照片,是为了让大家知道,我们不会在50纳米止步。”他还指出,至少要在三年以后才能推出25纳米器件。

海力士、东芝、三星和美光-英特尔合资企业都在争夺NAND领域中的技术领先地位,纷纷宣布推出新型器件。这些在公司宣布推出新产品之后不久,三星也奋起反击。它在2006年9月开发出了业内的第一款32-Gbit NAND闪存,基于40纳米工艺和其自有的CTF架构。三星指出,这是一种高k电介技术。

但在目前,NAND缩小的竞赛仍未决出胜负。预计今年NAND闪存芯片价格下降65%,令人担忧这种利润率一度高涨的技术很快就会成为几乎免费的商品类产品。Appleton表示,NAND市场处于季节性放缓阶段,NAND市场面临压力。

另一方面,有些DRAM厂商声称今年以来价格下跌了30%。Appleton暗示该产业将略有反弹。他表示,“美光预测今年DRAM价格跌幅只有10%,这不是灾难性的。”

但总体而言,半导体产业的天不会塌下来。Appleton表示,“我们认为2007年形势将会不错,经济形势非常好。”

关键字:工艺  电介  半导体

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