东芝、海力士握手言和,结束海DRAM/NAND相关专利权争议

2007-03-28 09:32:02来源: 电子工程专辑

日本东芝和韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)近日表示,双方已签订交叉授权和产品供应协议,结束了与DRAM和NAND技术相关的专利权官司。但协议细节没有得到确认,据称其中包括海力士向东芝支付现金。

两家公司之间的官司要追溯到2004年11月。在两家公司未能就更新原有的专利授权协议之后,当时东芝率先在美国德州和加州联邦地方法院控告海力士。东芝还请求美国国际贸易委员会(ITC)禁止美国进口海力士的某些产品,之后海力士对东芝提出反诉。去年12月,美国国际贸易委员会(ITC)裁定,没有发现海力士侵犯东芝的专利权。东芝当时表示要提起上诉。

东芝副总裁兼半导体部门执行副总裁Shozo Saito在声明中表示:“签署协议对于两家公司来说都是积极步骤。在摆脱官司之后,通过这些协议,我们现在可以加强各自的业务。”

海力士的资深副总裁O.C. Kwon表示:“我们相信,这些协议将成为我们两家公司建立互惠的企业关系的良好基础。”

关键字:授权  半导体  协议

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