闪存工艺竞赛如火如荼,美光欲借25纳米NAND执掌帅印

2007-02-15 08:56:05来源: 国际电子商情

在内存价格低迷和库存上升令人担忧之际,美光日前声称凭借开发25纳米NAND,已经夺回在NAND闪存领域的技术领先地位。美光的总裁兼首席执行官和董事长Steve Appleton表示:“该器件仍处于开发之中。”

美光展示了该器件的一张照片,但没有更详细介绍该器件结构的技术情况,也没有透露它的制造工艺。Appleton表示:“我展示这张照片,是为了让大家知道,我们不会在50纳米止步。”他还指出,至少要在三年以后才能推出25纳米器件。

海力士、东芝、三星和美光-英特尔合资企业都在争夺NAND领域中的技术领先地位,纷纷宣布推出新型器件。但在这些公司宣布推出新产品之后不久,三星也奋起反击。它在2006年9月开发出了业内的第一款32G NAND闪存,基于40纳米工艺和其自有的CTF架构。三星指出,这是一种高k电介技术。

但在目前,NAND缩小的竞赛仍未决出胜负。预计今年NAND闪存芯片价格下降65%,令人担忧这种利润率一度高涨的技术很快就会成为几乎免费的商品类产品。

Appleton表示,NAND市场处于季节性放缓阶段,“NAND市场面临压力。”

另一方面,有些DRAM厂商声称今年以来价格下跌了30%。但Appleton暗示该产业将略有反弹。他说,美光预测今年DRAM价格跌幅只有10%,“这不是灾难性的。”

总体而言,Appleton认为半导体产业的天不会塌下来,“我们认为2007年形势将会不错,因为总体经济形势非常好。”

关键字:制造  工艺  纳米  电介

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