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被指侵犯东芝NAND闪存专利,Hynix接受美国ITC调查

2007-02-13 08:51:21来源: 国际电子商情 关键字:器件  销售  判决

美国国际贸易委员会(ITC)日前表示,它将应日本东芝的请求,调查韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)生产的某些NAND闪存器件销售与进口情况。

ITC表示,东芝声称这些海力士器件的进口与销售违反了1930年美国关税法案,并且侵犯了东芝的专利权。东芝在1月9日提出起诉,请求ITC发布永久排斥令和永久禁止令。ITC表示,进行调查并不构成对这起案件的是非曲直的断定。

ITC表示,在启动调查45天之内,它将设立一个完成调查的目标日期,并尽早作出最终判决。据ITC,ITC的行政法法官Paul Luckern将在一个听证会之后就本案作出初步判决。

关键字:器件  销售  判决

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