东芝和SanDisk携手56纳米NAND闪存制造,挑战密度极限

2007-02-02 09:20:44来源: 国际电子商情

SanDisk公司日前宣布开始与东芝合作,在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂“Fab3”生产56纳米多层单元闪存。SanDisk和东芝原本是想推出52纳米NAND产品的,但由于该技术的复杂性,最后转向了56纳米技术。

SanDisk将于今年春季开始供应基于56纳米制程技术的市面上密度最高的单芯片MLC NAND闪存。另外它还会销售基于这一技术的闪存卡。

在测试通过了几款样品后,SanDisk将于接下来的几周时间里推出采用56纳米制程技术的新型8G单芯片MLC NAND闪存,而正式供货则将从本季度晚期开始。

在今年第二季度,SanDisk则将推出单片16G NAND,据称是业界密度最大的单芯片MLC NAND闪存。

这款新的56纳米闪存最初也将在Fab 3开始生产——这是SanDisk和东芝在2005年建立的第一个300mm晶圆厂,SanDisk和东芝将平分其生产的产品。

此外到今年年底,SanDisk和东芝与Flash Alliance公司合建的另一家300mm晶圆厂“Fab 4”也将开始生产56纳米闪存。

关键字:晶圆  单芯片

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