东芝推出采用56nm工艺的16Gb NAND闪存

2007-01-25 08:12:35来源: eNet
东芝公司24日宣布,即将推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm*1工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内最大容量*2。

东芝从本月开始量产目前市场上主流的8GbNAND闪存,同时也计划从今年第二季度的早期开始量产16GbNAND闪存。继去年底开始出厂开发样品后,今天开始将陆续出厂产品样品。

本次新产品采用多值单元(MLC)技术和改进的编程效率,实现了高容量和高写入性能。采用56nm工艺,实现了上一代产品(8Gb 70nm工艺)2倍的NAND闪存业内单芯片最大容量*2的16Gb产品。而且一次处理的数据(页面)达到数倍增长,写入速度也达到了以往MLC产品2倍*3的10MB/秒,同时实现了大容量化和高速化。

关键字:单芯片  样品  MLC

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