三星开发出首款聚合内存芯片 功耗降低超30%

2006-12-15 09:00:56来源: 赛迪网
12月14日消息,韩国三星电子日前宣布,已经成功开发出超高能效的闪存芯片,该芯片的面世意味着未来的移动产品将变得更为轻便。

据english.yna.co.kr报道,该内存属于聚合内存范畴,最高容量达到512MB,与此同时,在提供高容量的前提下,聚合内存在速度方面也比之前的产品提高许多,最值得一提的是,聚合内存的功耗损失比之前的产品低30%之多。

在一份正式技术声明中,三星表示,该聚合内存名为OneDRAM,其中整合了电脑内存DRAM和SRAM的特点和优势。据悉,新型聚合内存将被应用于手机等数字设备。据估算,到2011年的时候,凭借新型内存产品,聚合内存市场总价值将达到25亿美元,而三星电子计划在明年第二季度,大规模生产这种新技术内存产品。

关键字:闪存  容量  速度

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