新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍

2006-12-13 08:55:33来源: 新浪科技
据国外媒体报道,由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示,已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料;与当前常用的闪存相比,相变内存运行速度高于前者500~1000倍,能耗也将大幅度降低。

据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克·纳拉洋(Spike Narayan)表示:“凭借相变内存,可完成很多闪存目前所不能完成的任务。”在即将举行的旧金山“2006年国际电子设备大会”上,研发人员将公布这项技术进展的详情。该研发团队称,相变内存能满足电子产业“小体积、低能耗”的需求,并有望取代闪存目前的主导地位。

IBM技术部门副总裁T.C.陈(T.C Chen)表示,不少专家预计,用不了多久,闪存将面临如何缩小体积的挑战,而相变内存能在保持极小体积的同时发挥高性能。研发从员还表示,虽然上述新材料是首次开发,但科学家对相变技术的研究已有数十年历史,一些研究成果已被应用于DVD和CD产品之中。纳拉洋称,三星和英特尔也一直在进行相变内存设备的开发。

奇梦达副总裁威廉·贝恩沃格尔(Wilhelm Beinvogl)称,相变内存将在未来内存系统中扮演重要角色。

关键字:能耗  半导体  相变

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