芯原携手MoSys,共推1T-SRAM嵌入式内存技术

2006-12-01 09:08:24来源: 电子工程专辑

ASIC设计代工厂与半导体IP供应商芯原股份有限公司(VeriSilicon Holdings Co., Ltd.,简称芯原)和高密度系统芯片(SoC)嵌入式内存解决方案供应商MoSys, Inc.日前宣布,双方正在合作通过向芯原的客户提供无缝式的专利技术利用以进一步拓展MoSys的1T-SRAM技术的采用。根据双方达成的合作协议,芯原将把1T-SRAM能力纳入其知识产权(IP)产品组合当中,用于客户在多个代工厂的系统芯片设计。

芯原是一家无晶圆ASIC设计代工厂,致力于提供同类最优垂直平台解决方案、系统知识和服务,以帮助系统芯片客户从芯片规格走向生产。在这种合作关系下,客户目前有权选择与芯原直接合作来把MoSys的创新型内存技术整合进他们的设计当中,这些设计涉及众多代工厂的选择以及高级加工工艺(如90纳米)。通过利用MoSys的已经获得专利的1T-SRAM超高密度内存产品,客户能够大大降低他们的硅成本,同时维持高性能和低功耗

芯原WW sales&marketing部门公司副总裁Federico Arcelli指出:“我们与MoSys进行合作代表了芯原为客户提供一站式解决方案,以满足他们的IP和全包需求。通过与像MoSys这样的技术领导厂商进行合作,我们的客户还能够利用我们的其他IP产品和设计服务来开发硅领域具竞争性的解决方案。”

关键字:ASIC  设计  1T-SRAM

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