中芯国际携手以色列芯片开发商开发8Gb闪存

2006-11-23 09:14:34来源: 赛迪网

  11月23日消息 以色列存储芯片开发商赛凡半导体(Saifun Semiconductors)与中国领先半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布,双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。

  据路透财经报道,两家公司称,这款独特的新产品将于2008年推出,它将采用中芯国际先进的制造工艺和赛凡的Quad NROM技术。

  赛凡董事长见首席执行官波阿斯·埃特恩(Boaz Eitan)说:“我们相信中芯国际的创新技术及专业特长与赛凡独特的NROM技术相结合,将推动我们两家公司均成为利润丰厚的数据市场的重要厂商。”赛凡的Quad NROM技术可以在一个存储单元里存放4比特信息,与当前的闪存技术相比,信息量提高了一倍。而且Quad NROM较简单的架构可以减少制造环节,因而可以降低生产成本。

  中芯国际现在已使用赛凡的每单元两比特技术制造出了它的2Gb NAND芯片的首个工程样品,预计该产品将在今年年底前将投入批量生产。

关键字:半导体  NAND  工艺

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