东芝、海力士NAND闪存侵权案:东芝初胜

2006-11-15 09:10:33来源: 国际电子商情

据路透社报道,美国国际贸易委员会一位行政法官日前否决了东芝关于Hynix半导体公司侵犯其NAND闪存专利的起诉。行政法官Paul Luckern撤销了东芝对Hynix的侵权指控。报道称,这一决议还有待美国国际贸易委员会审阅,并最终交由联邦法院进行审理。

东芝和Hynix在1996年8月签署了一份涉及到半导体产品的专利交叉许可协议。双方从2002年12月31日协议到期之前开始就延长协议进行谈判,但在东芝专利的许可费用上没有达成共识。

2004年,东芝就DRAM和闪存专利分别在日本和美国对Hynix发动了一系列起诉。Hynix 和STMicroelectronics合作开发并生产闪存芯片,但东芝在2004年的一系列起诉中并没有将ST列入起诉对象。

关键字:Hynix  专利  闪存

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