英特尔美光强势合作风头正劲,第四家300mm晶圆厂选址狮城

2006-11-14 09:31:43来源: 电子工程专辑

英特尔和美光技术公司日前宣布将其生产NAND闪存的第四家晶圆制造厂的厂址定为新加坡。英特尔和Micron表示该建立在新加坡德NAND闪存晶圆制造厂, 有望在2008年下半年投产,预期在2007年上半年破土动工。

英特尔和美光的合资公司IM Flash Technologies自2006年1月成立以来,在弗吉尼亚州马纳萨斯及犹他州Lehi的300毫米制造厂已上线,另一套安装中的300mm晶圆制造厂也将于2007年初投产。该公司目前通过美光在博伊西的工厂提供NAND闪存。2007年初IMFT自己的工厂也将在犹他州落成,并将作为其公司总部。

英特尔闪存小组的总经理表示:“我们十分高兴在如此短的时间内IM Flash Technologies所取得的进展,使我们处于NAND市场未来的增长地位上。通过执行我们每年扩张一个300mm晶圆制造厂的战略,我们完全可以期望成为NAND闪存领域顶尖制造商中的一员。”

据悉,在此之前美光就有在新加坡建立合资工厂的经历,该公司已与惠普、佳能及新加坡经济管理委员会成立了一家合资公司以生产DRAM。

关键字:NAND  制造  Flash

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