NAND咄咄逼人 英特尔将交付65纳米1GNOR闪存

2006-11-09 10:08:05来源: eNet
据国外媒体报道,美国电脑芯片巨头英特尔公司周三宣布,他们即将向手机厂商交付同行业第一片基于六十五纳米工艺、采用多层单元存储技术的1G容量NOR闪存芯片。

这种NOR闪存芯片基于英特尔公司的StrataFlash架构,面向多媒体手机,比如百万像素的拍照手机、具有视频播放功能的手机等。媒体分析认为,目前,中高端手机普遍使用NAND闪存芯片作为存储介质,不过,NOR闪存和NAND相比,在读取速度上稍占优势,再加上1G的容量,未来可能会有一些手机厂商使用英特尔公司的1G NOR闪存。

英特尔公司表示,他们已经把这种闪存芯片在手机行业常见的10种芯片组中进行了测试,发现工作正常。在接口方面,这款NOR闪存芯片和英特尔公司去年推出的基于九十纳米的512Mb闪存保持了兼容。

据业内专家表示,和九十纳米的芯片相比,六十纳米的芯片的读取速度已经从每秒0.5 兆字节提升到1兆字节。这款芯片的读取性能也是所有NOR芯片当中最好的。

据悉,这款闪存芯片将在第四季度批量交付。明年,英特尔公司还将推出六十五纳米工艺的512M、128M、256M NOR闪存芯片。

和NAND闪存相比,NOR闪存的读取速度更快,但在写入速度方面NAND要快于NOR。 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 最近几年,NAND闪存逐渐变得普及,许多人认为,NOR闪存将逐渐被NAND替换,英特尔公司也和美观科技建立了NAND闪存合资公司。此前还有报道说,英特尔公司准备将NOR闪存业务转让他人。

关键字:NAND  速度  芯片

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