NAND咄咄逼人 英特尔将交付65纳米1GNOR闪存

2006-11-09 10:08:05来源: eNet
据国外媒体报道,美国电脑芯片巨头英特尔公司周三宣布,他们即将向手机厂商交付同行业第一片基于六十五纳米工艺、采用多层单元存储技术的1G容量NOR闪存芯片。

这种NOR闪存芯片基于英特尔公司的StrataFlash架构,面向多媒体手机,比如百万像素的拍照手机、具有视频播放功能的手机等。媒体分析认为,目前,中高端手机普遍使用NAND闪存芯片作为存储介质,不过,NOR闪存和NAND相比,在读取速度上稍占优势,再加上1G的容量,未来可能会有一些手机厂商使用英特尔公司的1G NOR闪存。

英特尔公司表示,他们已经把这种闪存芯片在手机行业常见的10种芯片组中进行了测试,发现工作正常。在接口方面,这款NOR闪存芯片和英特尔公司去年推出的基于九十纳米的512Mb闪存保持了兼容。

据业内专家表示,和九十纳米的芯片相比,六十纳米的芯片的读取速度已经从每秒0.5 兆字节提升到1兆字节。这款芯片的读取性能也是所有NOR芯片当中最好的。

据悉,这款闪存芯片将在第四季度批量交付。明年,英特尔公司还将推出六十五纳米工艺的512M、128M、256M NOR闪存芯片。

和NAND闪存相比,NOR闪存的读取速度更快,但在写入速度方面NAND要快于NOR。 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 最近几年,NAND闪存逐渐变得普及,许多人认为,NOR闪存将逐渐被NAND替换,英特尔公司也和美观科技建立了NAND闪存合资公司。此前还有报道说,英特尔公司准备将NOR闪存业务转让他人。

关键字:NAND  速度  芯片

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200611/6911.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
NAND
速度
芯片

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved