英特尔美光计划在新加坡设立第四家闪存工厂

2006-11-07 09:33:56来源: eNet
据国外媒体报道,英特尔和美光科技于当地时间本周一发表声明称,双方计划在新加坡成立合资企业,生产用于数字媒体播放器等消费电子产品的闪存芯片

两家公司当天并未透露新厂具体投资金额,但新加坡经济发展局主席林祥源表示投资将达到数十亿美元。据了解,新加坡工厂将成为英特尔与美光科技合资成立的第四家生产工厂,此前双方曾投资24亿美元成立合资企业IM快闪科技,用于生产NAND闪存芯片。

英特尔发言人查克-穆罗伊表示,考虑到法律和税收方面的原因,新厂将成为单独的合资企业,但仍由IM快闪科技负责管理和运营。目前,IM快闪科技在美国爱达荷州和维基尼亚州设有工厂,位于犹他州的工厂正处于紧张装配当中。

据了解,新厂将于明年上半年动工建设,预计将于2008年下半年建成投产。与此同时,新厂将采用最新的50纳米蚀刻技术以及12英寸晶片生产芯片。

根据市场研究机构iSuppli公布的数据显示,今年全球NAND闪存销售收入达到120亿美元,同比将增长17%,这主要是由于数码相机和手机等产品市场需求强劲。而其它闪存生产商主要包括韩国三星电子和现代半导体

受此影响,当天纳斯达克证券交易市场的英特尔股价上涨1%,涨至20.71美元,纽约证券交易所美光股价上涨2.8%,涨至14.37美元。

关键字:数字  芯片  NAND

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