三星率先开发50nm工艺DRAM08年开始量产

2006-10-27 09:35:24来源: 中国半导体行业网
韩国三星电子宣布,在业界率先开发出了基于50nm工艺半导体技术的DRAM芯片。该公司表示,与使用60nm工艺技术相比,可将芯片的生产效率提高55%。此次开发的是1GB的DDR2 DRAM。为了提高性能等,采用了三维构造的晶体管及多层构造(ZrO2/Al2O3/ZrO2)的电容绝缘膜等新技术。预定2008年开始量产。

据三星介绍,此次开发的50nm工艺制造技术可使用于包括图形用DRAM及移动DRAM在内的多种DRAM。50nm工艺DRAM到2011年“将成为构成规模相当于550亿美元的DRAM市场的主要产品”

关键字:晶体管  电容  绝缘

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200610/6714.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
晶体管
电容
绝缘

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved