英特尔发布90纳米闪存 破坏与ST协议?

2006-08-08 09:32:29来源: 国际电子商情

  日前传来消息,欧洲芯片制造商意法半导体(ST)未参与英特尔最近发布的一系列NOR闪存元件,而且预计也不会成为这些元件的第二来源。意法半导体与英特尔之间就开发覆盖手机NOR闪存系统的规格达成过协议,这份协议于2005年12月宣布。该协议规定,两家公司应该提供基于这些共同规格的内存产品。

  近日英特尔开始针对低成本移动电话应用推出封装引脚数较少的NOR闪存芯片样品,其容量大小包括32Mb到256Mb。该存储器被配置为与单芯片基带及RF解决方案配合使用。这些器件的容量从32Mb到256Mb,并包括引脚共享安排,以允许采用比以前产品的引脚数量更少的小型封装。英特尔表示,这些元件可与单芯片基带和RF解决方案一起使用,并且在堆叠裸片排列中可选择pseudostatic RAM的数量。而意法半导体并非参与其中。

  英特尔负责欧洲及中东与非洲地区闪存营销的经理Thomas von Bauer表示,与意法半导体之间的协议不涉及最近发布的NOR闪存产品。Thomas von Bauer表示,他并不认为英特尔独立进行NOR闪存产品的发布而损害了与意法半导体之间的协议。他说:“我们正在与意法半导体合作开发M18技术。”

  据他介绍,M18是面向手机的90纳米最新技术,是英特尔与意法半导体合作开发的一系列90纳米产品之一。von Bauer指出,最近推出的NOR闪存采用的是130纳米和90纳米工艺,这些产品将向65纳米过渡。

关键字:半导体  封装  闪存

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