英特尔AMD战火未歇 决战低端手机NOR闪存

2006-08-08 09:14:20来源: 赛迪网

  8月7日消息,全球两大CPU厂英特尔(Intel)及AMD为刺激市场销售、扩大市占率,大幅调降CPU报价,双方战火尚未停歇,又进一步将战线燃烧到NOR型闪存(Flash)。内存业内人士表示,英特尔将推出1款超低成本的NOR型Flash,以应对低端手机的庞大市场需求,而Spansion(原AMD旗下Flash部门,2005年已分割独立上市)目前也不断扩大低制造成本Mirror bit的NOR型Flash,希望能在低端手机市场抢下更多市占率。

  英特尔与AMD为抢下更多市占率,陆续降低CPU报价以刺激需求,且降价幅度让多数PC厂相当振奋,原因在于两大厂均采用一次到位的方式,不再像过去一步一步调降,而正当两大龙头厂在CPU市场竞争激烈之际,近期更进一步将战线扩大至NOR型Flash,双方均为了低端手机市场而纷纷采取策略应战。

  英特尔副总裁暨Flash部门总经理Darin Billerbeck便指出,英特尔已看到低端手机市场正朝向高速成长方向进行,为此,英特尔采取各种不同方式应对,英特尔预计到2006年底将制程技术由原本的0.13微米制程转进到90纳米制程,预计到2007年将会进一步由90纳米制程提高至65纳米制程。

  此外,英特尔也将推出1款低成本的NOR型Flash产品,据了解,该款低成本NOR型Flash容量将达32Mb~1Gb,仅提供相当简易的读取功能,为的便是应对低成本手机需求,而Spansion于此一市场也相当积极,希望能够与英特尔在此市场一拼高低。

  目前Spansion产品线包含了传统规格的NOR型Flash以及OR NAND型Flash,不过,为了进一步降低制造成本,Spansion积极导入Mirror bit制程的NOR型Flash或OR NAND型Flash,内存业内人士指出,由于Mirror bit制造成本低廉,因而受到手机大厂青睐,不过,由于制造Mirror bit困难度较高,对于Spansion而言,现阶段还无法全数改采Mirror bit制造技术来生产全系列商品。

  不过,为能与英特尔相对抗,持续提高Mirror bit制造技术生产NOR型Flash或OR NAND型Flash已是Spansion既定策略,目前看来,至2006年底超过半数产能将可转移以Mirror bit技术投产,2007年则全数改用Mirror bit生产,如此将有助Spansion扩大市占率。

关键字:flash  nor型  bit

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