英特尔美光合作展出首款50纳米工艺闪存样品

2006-07-28 09:41:30来源: eNet
美国东部时间7月27日(北京时间7月28日)消息:英特尔与美光科技公司日前展出了一款据称是业界首款50纳米生产工艺下制作出来的Nand闪存产品的样品。 

这款闪存样品是由美光科技公司与英特尔公司在一月份合资组建的IM Flash技术公司生产的。 

两家公司都已经展出了4GB的产品,并计划在2007年开始批量生产。 

IM Flash技术公司称,50纳米工艺技术开始投入批量生产线之后,英特尔和美光科技公司就可以满足大量运算与消费电子产品应用业界对更高容量的Nand闪存的日益增长的需求。  

其中包括数码音乐播放机、可移动存储器和各种便携式通讯设备等。 

据业界研究人士预测,2006年的Nand闪存市场将达到130亿到160亿美元的规模,而到2010年时,这个市场规模还将增长到250亿到300亿美元之间。 

美光科技公司的副总裁布里安谢利说:“美光科技公司是从2004年开始涉足Nand闪存市场的,最初采用的是90纳米生产工艺。” 

他说:“美光科技公司将迅速转换到50纳米生产工艺的生产线上,并再接再厉,在更高级的生产工艺条件下开发出更大容量的闪存产品。”

关键字:50纳米  Nand  闪存

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