3秒启动系统不是梦 飞思卡尔研发出磁阻内存

2006-07-11 09:38:07来源: eNet
据国外媒体报道,周一(7月10日)对于内存芯片发展是具有里程碑意义的一天。美国半导体巨头飞思卡尔(Freescale)公司对外宣布,他们已经成功研发出了业界所称的“磁阻随机存取内存(magnetoresistive random-access memory,简称MRAM)”,这种内存可以在没有电源情况下保存数据,其速度比现有的闪存还要快。开机几秒钟后登陆Windows将不再是梦想。  

传统的内存使用电荷保存数据,而磁阻内存则使用半导体的电磁性能存储数据。这种特性和今天的闪存有些类似,不过,磁阻内存的读写速度要快于闪存,此外不会随着时间的推移而丢失数据。磁阻内存还被一些业界人士称为“通用内存”,因为它将可以替代今天使用的几乎全部内存产品,比如使用在计算机、手机、音乐播放器、数码相机、家电设备、飞机和汽车上的各种存储芯片。  

飞思卡尔半导体公司周一宣布,他们已经在两个月前开始在亚利桑那州的一个芯片工厂开始生产MRAM,目前已经具备了一定的库存。该公司表示已经有客户订购这种内存,但没有具体透露厂商名字。

事实上,在过去十年里,磁阻内存已经成为内存芯片行业的一个技术热点,很多公司不惜投入巨资展开研究,其中包括美国半导体巨头IBM公司。飞思卡尔公司磁阻内存项目的负责人赛伊德·特拉尼表示,飞思卡尔公司在此项研究中已经用了十年的时间。另外,飞思卡尔表示,他们对于大规模生产磁阻内存兴趣不大,将会把这种技术授权给其他半导体公司。 

美国高科技市场研究公司“Forward Concepts”的分析师威尔·斯特劳斯表示:“这是过去十年以来最重大的内存技术突破。这是一种全新的技术,业界已经谈论它几年时间,但还没有厂商成功研发出来并交付量产。” 

目前,内存芯片在今天的世界已经无所不在。不过,不同的内存产品具有不同的优点和缺点,使得他们的应用受到局限。一般来说,每一个电子设备都会使用好几种内存,以弥补各自的不足。静态或动态的随机存取内存芯片广泛用于计算机等设备,它们具有非常快的速度,但在掉电的情况下会丢失全部数据。闪存芯片则常见于音乐播放器、数码相机或是手机,它们可以在掉电时也保存数据,不过存取速度相对比较慢,同时随着时间推移,数据会丢失。 

美国Semico研究公司的分析师鲍勃·梅里特表示,过去几年里,内存芯片厂商一直在研发速度更快、面积更小,并且能够在掉电时保存数据的存储芯片。梅里特说:“在一个移动计算的环境中,过去的内存技术已经显得力不从心。磁阻内存是一个重大的进步,对于满足消费者和行业内存体积更小的要求至为关键。” 

媒体分析认为,最终,磁阻内存将会替代计算机中使用的“电荷”随机存取内存。届时,系统启动将在几秒钟内完成,因为系统数据已经保存在内存中,再也不用从硬盘中加载。  

第一批磁阻内存将会使用在汽车和工业领域,因为这些应用对于内存的可靠性要求非常高。飞思卡尔的特拉尼表示,MRAM非常适合其他数据日志的应用,比如飞机上的“黑匣子”。 

除了磁阻内存之外,美国其他半导体巨头也在研发类似的技术。比如,德州仪器公司已经和科罗拉多州的Ramtron公司联合开发成功一种高容量内存芯片,他们采用的技术是FRAM,全名是“铁电体随机存取内存”,这种内存在掉电时也可以保存数据。虽然FRAM芯片已经问世了一段时间,但应用领域并不广。德州仪器的一名发言人表示,未来该公司将把这种内存集成到他们的信号处理器或者微控制器中。

在过去几年里,已经有一些公司宣布推出了磁阻内存的原型产品,不过在商业量产上一直不见动静。飞思卡尔公司周一的宣布改变了这种局面。Semico的分析师梅里特表示:“在MRAM领域,飞思卡尔公司是第一家能够说出‘我们可以接受订单’的公司。”

关键字:内存  芯片  磁阻  随机

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