三星发布60纳米NAND闪存 写入速度提高一倍

2006-06-28 09:49:10来源: 赛迪网

  6月28日消息 三星周二发布了它的首款60纳米NAND产品2Gb OneNAND芯片,该芯片持续读取数据速度为每秒108MB,持续写入能力为每秒17MB;如果把8片这种闪存芯片整合在一起,其写入速度可达每秒36MB。

  据dailytech网站报道,英特尔4月份宣布了其首款70纳米OneNAND产品,但节点缩小到60纳米还使新OneNAND数据写入速度一下子由每秒9.3MB跃升至每秒17MB。这主要是因为70纳米OneNAND产品每芯片最大容量只有1Gb,而60纳米产品每芯片最大容量可达2Gb。

  三星半导体闪存产品营销部主管Don Barnetson说:“由于性能和容量表现突出,我们的OneNAND存储产品市场正在迅速扩大。随着60纳米技术的应用,这些优势就更引人瞩目了。”

关键字:芯片  写入  容量

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