顺应NAND未来旺盛需求,东芝意欲翻番闪存产量

2006-05-26 09:27:00来源: 电子工程专辑

东芝公司日前表示,计划三年内投资180亿美元,一半用于半导体,主要是扩充NAND闪存产量。东芝总裁兼首席执行官Atsutoshi Nishida表示,将增加NAND闪存产量,将两座新工厂的产能扩大至两倍。

4月初,东芝及其NAND合作伙伴SanDisk Corp.披露了Fab 4的计划。Fab 4将月产10万片晶圆,预计2007年第四季度开始运作。东芝还确认了在别处兴建第二座生产厂Fab 5的计划。

Fab 5预计将于2008年财年开始运作,东芝和SanDisk将分享所有权。

对于可能产能过剩的担心,Nishida回应说:“尽管我们半导体预算约有1万亿日元,我们将根据市场状况决定实际投资额。但我们的产能根据对NAND未来需求的预计将严重短缺。”

东芝预计NAND闪存市场将在2008年由今年的170亿美元增至230亿美元。电子设备的销售预计将年增18%,由当前财年的146亿美元增长至2008财年的206亿美元。

关键字:半导体  闪存  NAND

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