顺应NAND未来旺盛需求,东芝意欲翻番闪存产量

2006-05-26 09:27:00来源: 电子工程专辑

东芝公司日前表示,计划三年内投资180亿美元,一半用于半导体,主要是扩充NAND闪存产量。东芝总裁兼首席执行官Atsutoshi Nishida表示,将增加NAND闪存产量,将两座新工厂的产能扩大至两倍。

4月初,东芝及其NAND合作伙伴SanDisk Corp.披露了Fab 4的计划。Fab 4将月产10万片晶圆,预计2007年第四季度开始运作。东芝还确认了在别处兴建第二座生产厂Fab 5的计划。

Fab 5预计将于2008年财年开始运作,东芝和SanDisk将分享所有权。

对于可能产能过剩的担心,Nishida回应说:“尽管我们半导体预算约有1万亿日元,我们将根据市场状况决定实际投资额。但我们的产能根据对NAND未来需求的预计将严重短缺。”

东芝预计NAND闪存市场将在2008年由今年的170亿美元增至230亿美元。电子设备的销售预计将年增18%,由当前财年的146亿美元增长至2008财年的206亿美元。

关键字:半导体  闪存  NAND

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200605/4100.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
半导体
闪存
NAND

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved