英特尔将推65nm手机闪存 手机存储量增一倍

2006-04-11 12:04:51来源: ZDNet China

  2007年,采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比,65nm芯片不必堆叠两个芯片,可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称,今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品,并称将至少比竞争对手Spansion和三星电子提前半年。按照这样的交付计划,65nm闪存的推出与90nm StrataFlash蜂窝存储器芯片的推出仅相隔一年。

  三星电子公司日前宣布批量生产70nm 1Gb OneNAND芯片,这是一种广泛使用的存储器件,性能高于普通闪存。三星转用70nm技术以后,与目前整个行业使用的90nm工艺技术相比,生产效率可提高70%。

  三星的70nm OneNAND融合了NOR闪存迅速启动及快速读数据的能力和NAND闪存高容量数据存储及快速写的能力。这种70nm器件现在已经用于100多种移动产品,还可用于数字相机、机顶盒和数字电视机。上个月在第三届三星移动解决方案论坛上,三星公司还发布了采用OneNAND的高速存储卡。

关键字:存储  芯片  闪存  器件

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200604/845.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
存储
芯片
闪存
器件

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved