受DDR2拖累,DDR3普及时程延至2009

2006-04-04 12:01:41来源: 互联网

据市调公司DRAMeXchange报告,受到DDR2量产初期工艺问题及成本居高不下,导致DDR2进军PC市场时程延宕等因素影响,新一代DDR3内存在PC市场成为主流的时程也将延后,预计2009年才有机会成为市场主流。

该机构指出,2005年第四季,DDR2产出量比例仅30%,预估2006第二季才会超越50%。若以此推估DDR3的进度,预期2006年下半年才会有更多DRAM厂进入工程样品阶段,2007年下半年开始小量试产,至少2008年底才有机会达到30%的比例,预计2009年才有机会成为主流。

以规格来看,目前DDR3的详细规格仍未完全确定,但具体设计上与DDR2的基本结构并无太大不同。由于未来内存传输速度不断提高,因此DDR3必须具备更高传输速度及低功耗。根据JEDEC标准,DDR3采8位预取设计,是DDR2 4位预取设计的一倍数,而运算频率则介于800MHz-1,600MHz。

DDR2与DDR3的最主要差异是为因应速度增加所产生的热量,因此降低电压是很重要的条件,目前DDR3的规格要求将电压控制在1.5V,较DDR2的1.8V更为省电。DDR3还增加了热感应功能;同时,为了节省电力,DDR3采用ASR (Automatic self-refresh)设计,能确保在数据不遗失情况下尽量减少更新频率来降低温度。

就密度而言,不同于DDR的256Mb与DDR2的512Mb,DDR3预期会由1Gb导入以符合当时市场需求。此外,在生产的制程上,也不同于DDR2的0.11um制程,DDR3预期会以70nm制程量产。

DDR3生产现况

尽管DDR3导入PC市场的时程仍然遥远,但三星(Samsung)、英飞凌(Infineon)、ELPIDA等DRAM厂均宣布开发出DDR3。目前发布的规格大都从1,067MHz导入,且供应电压将从DDR2的1.8V降低至DDR3的1.5V。

在过渡到DDR2过程中,2004年DRAM厂因受限于0.11微米制程不顺,使DDR2成本居高不下,及至2005年,0.11微米良率成熟,几家制程领先的DRAM厂2005年遂在第三季大量转至DDR2;但在此同时,英特尔(Intel)芯片组缺货加上主机板规格尚不能大量支持,导致PC大厂无法转向DDR2,造成DDR2严重供给过剩,价格狂跌,甚至曾低于DDR价格15%。

DRAMeXchange表示,在DRAM厂投入大量资金成本及研发资源后,新世代商品成为主流后至少必须维持2~3年的主流地位,才能达到投资回收。因此,尽管JEDEC公布DDR2的速度只会到800MHz,DRAM厂仍希望DDR2速度规格延伸至1,066MHz,藉此延长DDR2的主流地位。

而从Intel的产品蓝图看,今年下半年将主推全面支持DDR2的945与965系列,而DDR3则是规划在2007年导入PC市场,但由于DDR2进度严重落后,预期至少2007年第二季后支持DDR3的芯片组才会问世。至于AMD方面,由于支持DDR2的CPU AM2推迟到2006年6月,因此支持DDR3的时程恐将更为延后,可能规划到2008年以后。

DDR3导入PC市场路途仍遥远

若以之前DDR2的演进时程观察,DDR2约在2003年初进入工程样品阶段,而2003年底开始小量试产,直到2005年第四季产出量才达到30%的比例,预计在2006年Q2比例才会超越50%。若以此推估DDR3的进度,预期将由2006年下半年才会有更多的DRAM厂开始进入工程样品阶段,而至少要到2007年下半年才会开始小量试产。

用此一进度推算,至少到2008年底才有机会达到30%的比例,预计2009年才有机会成为主流。此外,DDR3应会从1Gb容量与70nm制程导入,因此另一方面也必须配合DRAM厂的制程转移速度,若DRAM厂在70nm的制程转移不顺利,DDR3成为主流的时程恐将更为遥远。

关键字:DDR3  内存  PC  市场主

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200604/757.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
DDR3
内存
PC
市场主

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved