OUM超越MRAM和FeRAM独领风骚,现有闪存技术可撑至2010年

2006-03-15 11:38:34来源: 互联网

英特尔公司日前预计指出,当前的闪存技术能维持到2010年,直到2010年才将出现对“通用存储器”的要求。这是英特尔闪存组战略规划经理Greg Komoto日前在英特尔开发商论坛(IDF)上所表示的。

Komoto称,英特尔依然认为双向通用存储器(OUM),也称为相变存储器,是最有前景的非易失性存储器替代者,超越了另两类潜在替代者--磁性RAM(MRAM)或铁电RAM(FeRAM)。

Komoto表示,OUM凭借其缩放路径、成本下降和位可改变的事实显示出最具前景。

英特尔自2000年以来与合作伙伴Ovonyx公司合作致力于OUM研发。意法半导体也在一段时间内授权了Ovonyx的技术。去年,日本的Elpida Memory也授权了该技术,韩国的三星电子也将其视为闪存和DRAM的潜在替代物。

以前据英特尔高官称,研发结果已制成了工作的OUM存储器,但费用是一大问题。Komoto表示,OUM的缩放有望至15纳米。

与此同时,NAND和NOR闪存技术持续进步,推动了对非易失性替代物的需求。

英特尔与Azalea Microelectronics公司在2002年合作开发 0.18微米节点下的OUM测试芯片。当时英特尔技术和制造中心副总裁和联合总监Stefan Lai对电子工程专辑表示,该公司将自行开发0.13微米的OUM原型。

英特尔对OUM的兴趣可追溯至35年前的1970年9月,当该公司创始人高登摩尔和Energy Conversion Devices公司OUM的发明者在《电子(Electronics)》就这一主题合著了一篇技术论文。

关键字:闪存  OUM存储器  磁性

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/embed/200603/504.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
闪存
OUM存储器
磁性

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 数字电视 安防电子 医疗电子 物联网

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved