中芯国际成功开发出0.11微米CIS工艺技术

2008-10-27 09:59:19来源: 半导体国际

  中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布成功开发0.11微米CMOS 图像传感器 (CIS) 工艺技术,在此工艺下生产的 CIS 器件,其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。

  中芯国际在中国提供完整的 CIS 代工服务,基于其丰富的领域经验,该0.11微米 CIS 技术能力可以为客户提供除0.15、0.18微米以外领先的解决方案及有竞争力的成本优势。该高度集成、高密度 CIS 解决方案,同时适用于铝和铜后端金属化工艺,可广泛应用于摄像手机、个人电脑、工业和安全市场等领域。中芯国际在该技术领域已经开始进入试生产阶段,未来几个月后也将在其200和300毫米芯片生产线上实现商业化生产。

  中芯国际市场行销中心副总裁欧阳雄表示,"利用优化的工艺条件,我们可以成功减少暗噪声,使其在弱光环境下实现性能,从而使我们的客户能够提供低成本、高性能的产品,有助于提升其竞争力,协助他们在拥有巨大潜力的 CIS 器件市场中取得领先地位。"


 

关键字:中芯国际  0.11微米CIS工艺技术

编辑:梁朝斌 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/news/eda/200810/article_22689.html
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